IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：2MBI300N-060
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2023-12-25
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日本富士 IGBT 2單元600V系列：
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日本富士 IGBT 2單元1200V系列：
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日本富士 IGBT 2單元1400V系列：
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