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賽米控IGBT模塊SKM150GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM150GB128D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制
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西門康IGBT模塊SKM200GB124D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制
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賽米控IGBT模塊SKM300GB123D西門康
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 賽米控IGBT模塊SKM300GB123D西門康
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賽米控IGBT模塊SKM400GB176D
SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制
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代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
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賽米控IGBT模塊SKiiP1513GB172-3DL
賽米控IGBT模塊SKiiP1513GB172-3DL 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊電容
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英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4
主要代理及經(jīng)銷德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、BUSSMANN快熔
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英飛凌IGBT模塊FF450R06ME3
專業(yè)銷售代理國(guó)內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭
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英飛凌IGBT模塊FF450R12ME3
專業(yè)銷售代理國(guó)內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷德國(guó)infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達(dá)，美國(guó)IR，瑞士ABB，英國(guó)西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭
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英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3
制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT 模塊產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules配置：Dual集電極—發(fā)射極Z大電壓 VCEO：1200 V在25 C的連續(xù)集電極電流：480 AZ大工作溫度： 125 C封裝 / 箱體：62MM柵極/發(fā)射極Z大電壓： /- 20 VZ小工作溫度：- 40 C安裝風(fēng)格：Screw
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