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IGBT模塊FZ1000R33HL3
點擊次數(shù):1389 更新時間:2023-11-17

IGBT模塊FZ1000R33HL3

IGBT模塊FZ1000R33HE3

IGBT模塊FZ1200R33HE3

IGBT模塊FZ1500R33HE3

IGBT模塊FZ1500R33HL3

IGBT模塊FZ1600R33HE4

IGBT模塊FZ1400R33HE4

IGBT模塊FZ2400R33HE4

IGBT模塊FF450R33T3E3

IGBT模塊FZ825R33HE4D


品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊,最大規(guī)格1mΩ

英飛凌工業(yè)半導體 2023-11-10 08:01 

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊,最大規(guī)格1mΩ

圖片


1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術,模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料(TIM)版本。


相關產(chǎn)品:

  • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半橋模塊

圖片


產(chǎn)品特點

集成體二極管,優(yōu)化了熱阻

最高的防潮性能

柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

符合RoHS標準要求


應用價值

按照應用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過沖

導通損耗最小

高速開關,損耗極低

對稱模塊設計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關行為

標準模塊封裝技術確??煽啃?/p>

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線上生產(chǎn)


競爭優(yōu)勢

通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

電流密度最高,防潮性能強


應用領域


儲能系統(tǒng)

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS



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